Pfeiffer 渦輪分子泵應(yīng)用于激光分子束外延系統(tǒng) Lazer MBE
激光分子束外延 Lazer MBE 是一種晶體生長(zhǎng)技術(shù), 將半導(dǎo)體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長(zhǎng)的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 由分別加熱到相應(yīng)溫度的各元素噴射出的分子流能在襯底上生長(zhǎng)出極薄的. 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu). 分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)或不同材料的晶體和超晶格的生長(zhǎng), 該方法生長(zhǎng)溫度低, 能嚴(yán)格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度.

分子束外延系統(tǒng)需要高真空環(huán)境!
外延系統(tǒng)中的超高真空腔體對(duì)真空度要求及其高, 對(duì)真空腔體的密封性, 材料放氣率, 微量雜質(zhì)氣體和水蒸氣比較敏感,德國(guó) Pfeiffer 分子泵可提供穩(wěn)定的真空環(huán)境, 對(duì)晶格的生長(zhǎng)起到良好的作用

上海伯東激光分子束外延 Lazer MBE 客戶案例一: 某真空設(shè)備商采購(gòu) Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 400, HiPace 80 用于激光分子束外延系統(tǒng), 系統(tǒng)功能
1. 主要針對(duì)金屬薄膜及材料器件的氧化物外延生長(zhǎng)
2. 超高真空生長(zhǎng)室, 直徑 12英寸.
3. 額定基壓：<1x10-6 Torr
4. 配有12個(gè)加熱泄流源.
5. 襯底加熱器加熱溫度 950℃
6. 可放置 6個(gè)1"的靶及 3個(gè)2"的靶
7. 質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)入真空腔的流量, 量程 100sccm.
8. 線型進(jìn)樣室實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)送片

分子束外延超高真空系統(tǒng)配置

Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉(zhuǎn)速 90,000 rpm, 極限真空 1E-11 mbar, 對(duì)小分子氣體具有更高的壓縮比, 實(shí)踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運(yùn)行時(shí)間可以達(dá)到 100,000 小時(shí)! 普發(fā)分子泵提供復(fù)合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應(yīng)用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應(yīng)用 >>

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