納米芯片壓刻機，本機統(tǒng)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。

  公司產(chǎn)品涵蓋金屬材料檢測與非金屬材料檢測，品種達一百多個。土木工程類高校用到的：大型多功能結(jié)構(gòu)試驗系統(tǒng)、巖土工程試驗系統(tǒng)、自平衡反力架、力學模型試驗系統(tǒng)、電液伺服疲勞系統(tǒng)、高溫高壓應(yīng)力腐蝕試驗系統(tǒng)、千斤頂檢定裝置等。

一、納米芯片壓刻機技術(shù)參數(shù)

1.曝光時間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)；
2.365-400nm光強傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán)；
3.聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標；
4.有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準直透鏡光線偏差半角:<1.84度；
6.波長濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源

12.主要配置：6“，8”光源系統(tǒng)，
13.手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng)。
14.支持電源350-2000 。
15.支持深紫外近紫外波長（可選項）。
16.支持背后對準及MEMS工藝要求。
17.CCD或顯微鏡對準系統(tǒng)。
18.主要性能指標：光強均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2”。 區(qū)域，--<±2% over 4”區(qū)域，--<±3% over 6”區(qū)域。
19.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。

二、主要用途

⒈ 本機針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機。

⒉ 由于本機找平機構(gòu)先進，找平力小、使本機不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本機為單面對準、單面曝光。

三、主要構(gòu)成：主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場顯微鏡顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件等組成。

四、主要功能特點

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.結(jié)構(gòu)先進：具有半球式找平機構(gòu)和可實現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)。

3.操作簡便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現(xiàn)真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調(diào)試、維護、修理都非常簡便。

4.可靠性高：采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用dute的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5.特設(shè)“碎片”處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。